企业简介
北京智朗芯光科技有限公司 main business:组装电子工业专用设备及其组件和光学、机电、软件、控制等系统；技术开发、技术转让、技术服务；销售机械设备、仪器仪表、金属制品、五金、交电、计算机、软件及辅助设备；货物进出口、代理进出口、技术进出口。（未取得行政许可的项目除外）（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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北京智朗芯光科技有限公司的工商信息
- 110108012270798
- 91110114694991151E
- 开业
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2009年09月17日
- 马铁中
- 780.000000
- 2009年09月17日 至 2029年09月16日
- 北京市工商行政管理局昌平分局
- 2016年08月10日
- 北京市昌平区沙河镇昌平路97号新元科技园B座503室(昌平示范园)
- 组装电子工业专用设备及其组件和光学、机电、软件、控制等系统；技术开发、技术转让、技术服务；销售机械设备、仪器仪表、金属制品、五金、交电、计算机、软件及辅助设备；货物进出口、代理进出口、技术进出口。（未取得行政许可的项目除外）（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）
北京智朗芯光科技有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 北京智朗芯光科技有限公司 | www.beioptics.com |
北京智朗芯光科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN105698703A | 一种多路激光发射装置 | 2016.06.22 | 本发明公开了一种多路激光发射装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该多路激光发射装置包括多路分光棱镜 |
| 2 | CN103985653B | 一种晶片应力测量方法 | 2017.03.08 | 本发明公开了一种晶片应力测量方法，属于半导体器件技术领域。该方法包括步骤1：测量沿X方向的各入射光束 |
| 3 | CN103985652B | 一种晶片应力测量装置及测量方法 | 2016.09.21 | 本发明公开了一种晶片应力测量装置，属于半导体器件技术领域。包括探测光发生装置、分束镜、腔室、样品托盘 |
| 4 | CN103575223B | 利用反射光谱测量硅基太阳能电池增透膜的方法 | 2016.09.21 | 公开利用反射光谱测量硅基太阳能电池增透膜的方法，包括通过垂直入射测量包含增透膜的硅基太阳能电池的相对 |
| 5 | CN104089704B | 半导体薄膜反应腔辅助温度校准方法 | 2016.09.21 | 本发明公开了一种半导体薄膜反应腔辅助温度校准方法，属于半导体制造领域。该方法首先利用第一探测装置标定 |
| 6 | CN105698704A | 检测晶片基底二维形貌和温度的装置 | 2016.06.22 | 本发明提供的检测晶片基底二维形貌和温度的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该检测晶片基底二维形貌 |
| 7 | CN105698705A | 检测晶片基底二维形貌的装置 | 2016.06.22 | 本发明提供的检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该检测晶片基底二维形貌的装置 |
| 8 | CN105698964A | 一种单透镜型晶片基底温度测量装置 | 2016.06.22 | 本发明公开了一种单透镜型晶片基底温度测量装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置在光束入射至晶片 |
| 9 | CN105698845A | 一种单透镜型自动检测晶片基底二维形貌和温度的装置 | 2016.06.22 | 本发明公开了一种单透镜型自动检测晶片基底二维形貌和温度的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该单透 |
| 10 | CN105698697A | 一种检测晶片基底二维形貌的装置 | 2016.06.22 | 本发明提供的检测晶片基底二维形貌的装置中，由多路出射光是由一个激光器经过多个分光面，通过给所述多个分 |
| 11 | CN105698706A | 自动检测晶片基底二维形貌的装置 | 2016.06.22 | 公开了一种自动检测晶片基底二维形貌的装置。该装置利用其第一运算模块和第二运算模块，能够分别得到晶片基 |
| 12 | CN105698698A | 一种单透镜型检测晶片基底二维形貌和温度的装置 | 2016.06.22 | 本发明公开了一种单透镜型检测晶片基底二维形貌和温度的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置在光 |
| 13 | CN105627951A | 一种自动检测晶片基底二维形貌的装置 | 2016.06.01 | 本发明公开了一种自动检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置中，N束激光的 |
| 14 | CN103575662B | 光学测量系统 | 2016.05.04 | 本发明公开了一种光学测量系统，包括光源、光纤束、第一聚光单元、第二聚光单元、第三聚光单元、第四聚光单 |
| 15 | CN103134591B | 近垂直入射宽带偏振光谱仪和光学测量系统 | 2016.05.04 | 本发明涉及一种易于调节聚焦的、无色差的、保持偏振特性的、信噪比优化的、且结构简单的近垂直入射宽带光谱 |
| 16 | CN105091777A | 实时快速检测晶片基底二维形貌的方法 | 2015.11.25 | 本发明公开了一种实时快速检测晶片基底二维形貌的方法。该方法包括以下步骤：令N束激光沿晶片基底径向即X |
| 17 | CN105091788A | 自动实时快速检测晶片基底二维形貌的装置 | 2015.11.25 | 本发明公开了一种自动实时快速检测晶片基底二维形貌的装置。包括第一运算模块、第二运算模块和分析模块，第 |
| 18 | CN105091787A | 实时快速检测晶片基底二维形貌的装置 | 2015.11.25 | 本发明公开了一种实时快速检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置包括N个P |
| 19 | CN104807495A | 一种监测晶片生长薄膜特性的装置及其用途 | 2015.07.29 | 本发明公开了一种监测晶片生长薄膜特性的装置及其用途，属于半导体材料无损检测领域。该装置包括第一激光光 |
| 20 | CN104807754A | 一种监测晶片生长薄膜特性的装置 | 2015.07.29 | 本发明公开了一种监测晶片生长薄膜特性的装置，属于半导体材料无损检测领域。该装置包括反射率运算模块、温 |
| 21 | CN104726841A | 半导体薄膜生长反应腔辅助温度校准装置及校准方法 | 2015.06.24 | 公开了半导体薄膜生长反应腔辅助温度校准装置及校准方法，属于半导体制造领域。该装置及方法能够将光源的光 |
| 22 | CN104697973A | 一种外延片拉曼散射光谱数据生成方法 | 2015.06.10 | 本发明公开了一种外延片拉曼散射光谱数据生成方法，属于半导体材料制造设备技术领域。该方法在石墨盘旋转的 |
| 23 | CN104701200A | 一种在线实时检测外延片温度的装置 | 2015.06.10 | 本发明公开了一种在线实时检测外延片温度的装置，属于半导体检测技术领域。该装置包括黑体辐射值运算模块和 |
| 24 | CN104697637A | 一种薄膜生长的实时测温方法 | 2015.06.10 | 本发明公开了一种薄膜生长的实时测温方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括获得双波长测温结构的薄膜生 |
| 25 | CN104697638A | 一种MOCVD设备实时测温系统自校准方法 | 2015.06.10 | 本发明公开了一种MOCVD设备实时测温系统自校准方法，半导体制造技术领域。该方法包括根据实际热辐射比 |
| 26 | CN104697636A | 一种薄膜生长的自校准实时测温装置 | 2015.06.10 | 本发明公开了一种薄膜生长反应腔室设备实时测温系统自校准装置，属于半导体制造技术领域。该装置包括实际热 |
| 27 | CN104697639A | 一种MOCVD设备实时测温系统自校准装置及方法 | 2015.06.10 | 本发明公开了一种MOCVD设备实时测温系统自校准装置及方法，属于半导体制造技术领域。该装置包括MOC |
| 28 | CN104697666A | 一种MOCVD反应腔测温方法 | 2015.06.10 | 本发明公开了一种MOCVD反应腔测温方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括获得双波长测温结构的MO |
| 29 | CN104697643A | 一种在线实时检测外延片温度的方法 | 2015.06.10 | 本发明公开了一种在线实时检测外延片温度的方法，属于半导体检测技术领域。该方法通过引入镀膜窗口的反射率 |
| 30 | CN104697645A | 一种在线实时检测外延片温度的装置及方法 | 2015.06.10 | 本发明公开了一种在线实时检测外延片温度的装置及方法，属于半导体检测技术领域。该装置包括MOCVD反应 |
| 31 | CN104697972A | 一种在线实时检测外延片生长的方法 | 2015.06.10 | 本发明公开了一种在线实时检测外延片生长的方法，属于半导体材料制造设备技术领域。该方法根据各外延片对应 |
| 32 | CN104697974A | 一种在线实时检测外延片生长的装置 | 2015.06.10 | 本发明公开了一种在线实时检测外延片生长的装置，属于半导体材料制造设备技术领域。该装置MOCVD反应室 |
| 33 | CN104567663A | 一种三维移动装置 | 2015.04.29 | 本发明公开了一种三维移动装置，属于光学测量技术领域。该装置包括底座、固定连接件、X方向移动平台、Y方 |
| 34 | CN104567662A | 一种光学测量平台 | 2015.04.29 | 本发明公开了一种光学测量平台，属于光学测量技术领域。该测量平台包括底座、固定连接件、X方向移动平台、 |
| 35 | CN103162830B | 包含参考光束的垂直入射光谱仪及光学测量系统 | 2015.02.04 | 本发明公开了一种包含参考光束的垂直入射光谱仪，包括光源、光源聚光单元、第一反射单元、第一聚光单元、第 |
| 36 | CN104129634A | 一种升降机构 | 2014.11.05 | 本发明公开了一种升降机构，属于样品装载与卸载的装置技术领域。该升降机构包括限位轴、滑块和至少两组定位 |
| 37 | CN104089704A | 半导体薄膜反应腔辅助温度校准方法 | 2014.10.08 | 本发明公开了一种半导体薄膜反应腔辅助温度校准方法，属于半导体制造领域。该方法首先利用第一探测装置标定 |
| 38 | CN104089703A | 半导体薄膜反应腔辅助温度校准装置 | 2014.10.08 | 本发明公开了一种半导体薄膜反应腔辅助温度校准装置，属于半导体制造领域。该装置能够将光源的光强调节到P |
| 39 | CN103985653A | 一种晶片应力测量方法 | 2014.08.13 | 本发明公开了一种晶片应力测量方法，属于半导体器件技术领域。该方法包括步骤1：测量沿X方向的各入射光束 |
| 40 | CN103985652A | 一种晶片应力测量装置及测量方法 | 2014.08.13 | 本发明公开了一种晶片应力测量装置，属于半导体器件技术领域。包括探测光发生装置、分束镜、腔室、样品托盘 |
| 41 | CN103575223A | 利用反射光谱测量硅基太阳能电池增透膜的方法 | 2014.02.12 | 本发明公开利用反射光谱测量硅基太阳能电池增透膜的方法，包括通过垂直入射测量包含增透膜的硅基太阳能电池 |
| 42 | CN103575662A | 光学测量系统 | 2014.02.12 | 本发明公开了一种光学测量系统，包括光源、光纤束、第一聚光单元、第二聚光单元、第三聚光单元、第四聚光单 |
| 43 | CN103575661A | 包含垂直入射和斜入射的光学测量系统 | 2014.02.12 | 本申请公开了一种包含垂直入射和斜入射的光学测量系统，包括光源、光纤束、反射聚焦系统、第一聚光单元、第 |
| 44 | CN102269622B | 垂直入射宽带光谱仪 | 2013.07.03 | 本发明提供一种垂直入射光谱仪。该垂直入射光谱仪包括光源、分光元件、聚光单元、第一平面反射元件和探测单 |
| 45 | CN103162830A | 包含参考光束的垂直入射光谱仪及光学测量系统 | 2013.06.19 | 本发明公开了一种包含参考光束的垂直入射光谱仪，包括光源、光源聚光单元、第一反射单元、第一聚光单元、第 |
| 46 | CN102338662B | 包含相位元件的斜入射宽带偏振光谱仪和光学测量系统 | 2013.06.12 | 本发明提供了一种易于调节聚焦的、可实现无色差的、可保持偏振特性的、且结构简单的斜入射宽带光谱仪。该斜 |
| 47 | CN102297721B | 斜入射宽带偏振光谱仪和光学测量系统 | 2013.06.05 | 本发明提供了一种易于调节聚焦的、可实现无色差的、可保持偏振特性的且结构简单的斜入射宽带光谱仪。该斜入 |
| 48 | CN103134591A | 近垂直入射宽带偏振光谱仪和光学测量系统 | 2013.06.05 | 本发明涉及一种易于调节聚焦的、无色差的、保持偏振特性的、信噪比优化的、且结构简单的近垂直入射宽带光谱 |
| 49 | CN102269623B | 垂直入射宽带偏振光谱仪和光学测量系统 | 2013.03.06 | 本发明提供一种易于调节聚焦的、可实现无色差的、可保持偏振特性的、且结构简单的垂直入射宽带偏振光谱仪。 |
| 50 | CN102589692A | 光纤束分光的垂直入射宽带偏振光谱仪及光学测量系统 | 2012.07.18 | 本发明提出了一种光纤束分光的垂直入射宽带偏振光谱仪及光学测量系统。该垂直入射宽带光谱仪包括：光源、光 |
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